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Nils Boysen

• Precursors relevant for the vapor phase processing of different material systems by chemical vapor deposition (CVD) or atomic layer deposition (ALD) need to be rationally developed to fulfill the special demands of such processes. In this thesis, new and promising precursors for the deposition of coinage metals, metallic iridium, and yttrium(III)-oxide thin films were realized and evaluated. In a first chapter, the precursor chemistry and deposition of metallic copper thin films by spatial ALD is highlighted, while the second chapter focusses on the precursor chemistry and thermal ALD of yttrium(III)-oxide thin films. The last chapter deals with the development of new precursors for the CVD of metallic iridium thin films by metal-organic CVD. Developing advanced precursor chemistries as highlighted in this thesis significantly enhances the deposition process characteristics and thus applicability of the thin films in micro- and optoelectronic devices.
• Präkursoren mit Relevanz für die Gasphasenabscheidung von verschiedenen Materialsystemen mittels der chemischen Gasphasenabscheidung (CVD) oder Atomlagenabscheidung (ALD) müssen spezifisch für solche Prozesse entwickelt werden. In dieser Arbeit wurden neuartige Präkursoren für die Abscheidung von Münzmetallen, Iridium und Yttrium(III)-Oxid Schichten hergestellt. Im ersten Kapitel wird die Präkursorchemie für die Abscheidung von Kupferdünnschichten diskutiert, wobei das zweite Kapitel sich mit der Präkursorchemie und der Abscheidung von Yttrium(III)-Oxid Schichten beschäftigt. Im letzten Kapitel wird die Präkursorchemie und Abscheidung von metallischen Iridium Dünnschichten mittels der CVD beleuchtet. Die Entwicklung neuartiger Präkursoren in dieser Arbeit kann als eine einer der zentralen Säulen betrachtet werden, um Abscheidungsprozesse zu verbessern und schließlich eine Anwendung der Materialien in mikro- und optoelektronischen Geräten zu ermöglichen.