Optimierung des Wachstums und der Charakterisierung mittels Molekularstrahlepitaxie hergestellter lokal tropfengeätzter GaAs-Quantenpunkte

  • In der Dissertation werden neue Techniken für das Wachstum und die Charakterisierung von lokal tropfengeätzten (LDE) GaAs Quantenpunkten (QDs) entwickelt und untersucht. Zunächst wurden die Auswirkungen von dielektrischen Schichten auf das Photolumineszenzspektrum (PL) von LDE-QDs untersucht und gezeigt, wie diese mittels Cleaved-Edge Messungen verringert werden können. Danach wurde eine anomale Intensitätssteigerung bei temperaturabhängiger PL-Spektroskopie festgestellt und für die spektrale Zuordnung von bimodalen QD-Moden genutzt. Mittels Gradientendeposition des Ätzmaterials konnte eine scharfe Übergangsfront der QDs geschaffen werden, mit deren Position sich die kritische Ätzmaterialmenge exakt bestimmen lässt. Mittels Gradientendeposition des Füllmaterials wurde eine starke Modulation der Emissionswellenlänge auf einem Wafer erreicht (795 nm bis 731 nm). Abschließend konnten mittels Anpassung der Rotationsperiode an die Depositionszeit global sehr homogene QDs hergestellt werden.

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Metadaten
Author:Hans-Georg BabinGND
URN:urn:nbn:de:hbz:294-103957
DOI:https://doi.org/10.13154/294-10395
Referee:Andreas D. WieckORCiDGND, Ulrich KöhlerGND
Document Type:Doctoral Thesis
Language:German
Date of Publication (online):2023/10/26
Date of first Publication:2023/10/26
Publishing Institution:Ruhr-Universität Bochum, Universitätsbibliothek
Granting Institution:Ruhr-Universität Bochum, Fakultät für Physik und Astronomie
Date of final exam:2023/08/10
Creating Corporation:Fakultät für Physik und Astronomie
GND-Keyword:Molekularstrahlepitaxie; Quantenpunkt; Photolumineszenz; Galliumarsenid-Bauelement; Wafer
Institutes/Facilities:Lehrstuhl für angewandte Festkörperphysik
Dewey Decimal Classification:Naturwissenschaften und Mathematik / Physik
faculties:Fakultät für Physik und Astronomie
Licence (German):License LogoKeine Creative Commons Lizenz - es gelten der Veröffentlichungsvertrag und das deutsche Urheberrecht