Preparation of close-to-surface NV centers in diamond under UHV conditions

  • Die oberflächennahe Implantation von Stickstoff in Diamanten durch niederenergetischen Ionenbeschuss, ist eine wichtige Methode um Stickstoff Fehlstellen (NV, eng. \(\textit {Nitrogen Vacancy}\)) Zentren lokal zu erzeugen. Diese gelten als potenzielle Qubit Kandidaten. Als Substrat wurden in dieser Arbeit hochreine einkristalline Diamanten verwendet. Die komplette Prozesskette von der Implantation bis hin zur Erzeugung durch Temperieren auf 800 °C ohne Schädigung der Oberfläche wird in dieser Arbeit in situ in einem geschlossenen System unter Ultrahochvakuumbedingungen gezeigt. Unter diesen Bedingungen konnte zusätzlich zum ersten Mal in diesem Forschungsfeld eine Implantation an einer unterminierten geheizten Diamantprobe durchgeführt werden. Die Charakterisierung der NV Zentren wurde anhand ihres Photolumineszenzspektrums an einem Konfokalmikroskop durchgeführt. Die Arbeit zeigt zusätzlich den Umbau der Implantationsanlage hin zu einem Nanometerimplantationsaufbau.

Download full text files

Export metadata

Additional Services

Share in Twitter Search Google Scholar
Metadaten
Author:Stefan BorgsdorfGND
URN:urn:nbn:de:hbz:294-67990
DOI:https://doi.org/10.13154/294-6799
Referee:Ulrich KöhlerGND, Andreas D. WieckORCiDGND
Document Type:Doctoral Thesis
Language:English
Date of Publication (online):2019/12/09
Date of first Publication:2019/12/09
Publishing Institution:Ruhr-Universität Bochum, Universitätsbibliothek
Granting Institution:Ruhr-Universität Bochum, Fakultät für Physik und Astronomie
Date of final exam:2019/11/05
Creating Corporation:Fakultät für Physik und Astronomie
Tag:Qubit
GND-Keyword:Ionenimplantation; Einzelphotonenemission; Ultrahochvakuum; Ion; Diamant
Institutes/Facilities:Institut für Experimentalphysik IV, Arbeitsgruppe für Oberflächenphysik
Dewey Decimal Classification:Naturwissenschaften und Mathematik / Physik
faculties:Fakultät für Physik und Astronomie
Licence (German):License LogoKeine Creative Commons Lizenz - es gelten der Veröffentlichungsvertrag und das deutsche Urheberrecht