High performance thin-film transistors based on new semiconducting materials

Der erste Teil der Dissertation beschäftigt sich mit \(\it p\)-Typ lösungsprozessierten Pentacen-Dünnfilmtransistoren (\(\textit {thin film}\) transistors, TFTs) hergestellt aus einem 13,6-N-Sulfinylacetamidopentacene Präkursor. Gegenstand des zweiten Teils sind \(\it n\)-Typ Indium-basierte Metalloxid-TFTs (\(\textit {metal oxide}\) TFTs, MOTFTs) auf der Basis des "iXsenic S"-Präkursors (EVONIK Industries AG). Beide Materialien sind vielversprechende Kandidaten, um das amorphe Silizium (a-Si) für einen großen Bereich elektronischer Anwendungen zu ersetzen. Ein großer Vorteil der organischen TFTs (OTFTs) und MOTFTs vs. a-Si TFTs ist ihre Kompatibilität mit \(\textit {low-cost}\) Prozessen, die zu einer breiten Palette von Anwendungen im Bereich der flexiblen Elektronik führen. Da für komplementäre Logikschaltungen sowohl \(\it p\)-Typ als auch \(\it n\)-Typ TFTs erforderlich sind und wegen der Schwierigkeit, \(\it n\)-Kanal OTFTs oder \(\it p\)-Kanal MOTFTs zu realisieren, bietet sich als viel versprechender Ansatz die Kombination von \(\it p\)-Typ OTFTs mit \(\it n\)-Typ MOTFTs an.

Metadaten
Author:	Teodor Toader
URN:	urn:nbn:de:hbz:294-41357
Referee:	Ulrich Kunze ORCiD GND, Martin Hofmann GND
Document Type:	Doctoral Thesis
Language:	English
Date of Publication (online):	2014/07/23
Date of first Publication:	2014/07/23
Publishing Institution:	Ruhr-Universität Bochum, Universitätsbibliothek
Granting Institution:	Ruhr-Universität Bochum, Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik
Date of final exam:	2014/03/28
Creating Corporation:	Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik
GND-Keyword:	Pentacen; Dünnschichttransistor; Grenzfläche; Präkursor; Silicium
Dewey Decimal Classification:	Technik, Medizin, angewandte Wissenschaften / Elektrotechnik, Elektronik
Licence (German):	Keine Creative Commons Lizenz - es gelten der Veröffentlichungsvertrag und das deutsche Urheberrecht

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