Ballistischer Transport in epitaktischem Graphen
- Durch einen Übergang des Ladungsträgertransports vom diffusiven in das ballistische Transportregime können höhere Schaltgeschwindigkeiten bei gleichzeitig geringerer Verlustleistung in elektronischen Bauelementen erreicht werden. Die Entwicklung von ballistischen Bauelementen für kommerzielle Anwendungen erfordert neue Materialien, wie Graphen, einer Monolage Graphit, mit hohen mittleren freien Weglängen der Ladungsträger bis Raumtemperatur. Epitaktisches Graphen auf Siliziumcarbid hat mit großflächigen Filmen auf isolierendem Substrat das Potential, den Weg in kommerzielle Anwendungen zu finden. Durch den Nachweis des ballistischen Transports, wird die Möglichkeit für die Anwendung dieser Filme in integrierten Schaltungen mit ballistischen Bauelementen demonstriert.
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| Author: | Sonja Weingart |
|---|---|
| URN: | urn:nbn:de:hbz:294-31321 |
| Referee: | Ulrich KunzeORCiDGND, Thomas SeyllerGND |
| Document Type: | Doctoral Thesis |
| Language: | German |
| Date of Publication (online): | 2011/09/02 |
| Date of first Publication: | 2011/09/02 |
| Publishing Institution: | Ruhr-Universität Bochum, Universitätsbibliothek |
| Granting Institution: | Ruhr-Universität Bochum, Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik |
| Date of final exam: | 2011/07/18 |
| Creating Corporation: | Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik |
| GND-Keyword: | Graphen; Nanostruktur; Magnetowiderstand; Transport; Dielektrikum |
| Dewey Decimal Classification: | Technik, Medizin, angewandte Wissenschaften / Elektrotechnik, Elektronik |
| Licence (German): |  Keine Creative Commons Lizenz - es gelten der Veröffentlichungsvertrag und das deutsche Urheberrecht |
