12-Kanal-Verstärkerarray in SiGe-Bipolartechnologie für parallele optische Übertragungsstrecken mit 10 Gbit/s pro Kanal

Die Arbeit behandelt den Entwurf und die Messung eines Transimpedanzverstärkerarrays für den Empfänger einer parallelen optischen Übertragungsstrecke mit zwölf Kanälen und einer Datenrate von 10 Gbit/s pro Kanal. Der Chip wird von einem Fotodiodenarray angesteuert und zeichnet sich durch hohe Verstärkung, hohe Eingangsempfindlichkeit, konstanten Ausgangshub und geringe Leistungsaufnahme aus. Die Analyse und Minimierung des Übersprechens zwischen den zwölf Verstärkerkanälen stellt den Schwerpunkt beim Entwurf dar. Hierzu ist eine detaillierte Modellierung des Verstärkerarrays und seiner parasitären Elemente (u. a. Chipsubstrat und magnetische Kopplungen) notwendig. Mit Hilfe der Schaltungssimulation werden zahlreiche Maßnahmen zur Reduktion des Übersprechens abgeleitet und ausführlich dargestellt. Durch Messung am aufgebauten Verstärkerarray werden diese Ergebnisse, insbesondere hinsichtlich der hohen Eingangsempfindlichkeit und des geringen Übersprechens, bestätigt.

Metadaten
Author:	Alexander Schild
URN:	urn:nbn:de:hbz:294-22724
Referee:	Hans-Martin Rein GND, S. Heinen
Document Type:	Doctoral Thesis
Language:	German
Date of Publication (online):	2008/07/29
Date of first Publication:	2008/07/29
Publishing Institution:	Ruhr-Universität Bochum, Universitätsbibliothek
Granting Institution:	Ruhr-Universität Bochum, Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik
Date of final exam:	2007/07/13
Creating Corporation:	Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik
GND-Keyword:	Breitbandverstärker; Nebensprechen; Halbleitersubstrat; Parasitäres Element (Mikroelektronik); Datenübertragung
Dewey Decimal Classification:	Technik, Medizin, angewandte Wissenschaften / Elektrotechnik, Elektronik
Licence (German):	Keine Creative Commons Lizenz - es gelten der Veröffentlichungsvertrag und das deutsche Urheberrecht

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