Gas-phase synthesis of bismuth and antimony chalcogenide nanostructures
- In dieser Arbeit wurde die Präparation von Antimon- und Bismutchalkogenid Dünnfilmen und Nanostrukturen untersucht. Dafür wurde das Verfahren der Atomlagenabscheidung (ALD - englische Abkürzung für Atomic Layer Deposition) für Dünnfilmen-Abscheidung bei niedrigen Temperaturen bzw. gepulstes Vapor-Liquid-Solid (pulsed-VLS) Wachstum für Nanostäbe bei höheren Temperaturen verwendet. Durch die Kombination von VLS gewachsenen Nanostäben mit den ALD Prozessen konnte homo- sowie hetero-epitaktisches Wachstum auf den Sb2S3 und Sb2Se3 Nanostäben durch Atomlagenepitaxie (ALE) bei niedrigen Temperaturen gezeigt werden. Der gut kontrollierbare ALE Prozess ermöglichte die Synthese mehrerer neuartiger Heterostrukturen, u.a. Kern-Hülle (core-shell) Strukturen, Stäbe mit rechteckigem Querschnitt oder axiales Wachstum konnten damit erreicht werden.
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| Author: | Ren Bin Yang |
|---|---|
| URN: | urn:nbn:de:hbz:294-29146 |
| Referee: | Ulrich KunzeORCiDGND, Kornelius NielschGND |
| Document Type: | Doctoral Thesis |
| Language: | English |
| Date of Publication (online): | 2010/09/23 |
| Date of first Publication: | 2010/09/23 |
| Publishing Institution: | Ruhr-Universität Bochum, Universitätsbibliothek |
| Granting Institution: | Ruhr-Universität Bochum, Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik |
| Date of final exam: | 2010/06/25 |
| Creating Corporation: | Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik |
| GND-Keyword: | CVD-Verfahren; Dünne Schicht; Halbleiter; Atomlagenabscheidung; Nanodraht |
| Dewey Decimal Classification: | Technik, Medizin, angewandte Wissenschaften / Ingenieurwissenschaften, Maschinenbau |
| Licence (German): |  Keine Creative Commons Lizenz - es gelten der Veröffentlichungsvertrag und das deutsche Urheberrecht |
